單面光刻機(jī)系統(tǒng),本機(jī)針對(duì)各大專院校、企業(yè)及科研單位,對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī)。
單面光刻機(jī)系統(tǒng),本系統(tǒng)針對(duì)各大專院校、企業(yè)及科研單位,對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)。
一、單面光刻機(jī)系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
1.曝光時(shí)間調(diào)解器:0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s);
2.365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán);
3.聲控功率警報(bào)裝置可防止系統(tǒng)功率超過設(shè)定指標(biāo);
4.有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器;
5.全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角: <1.84度;
6.波長濾片檢查及安裝裝置;
7.抗衍射反射功能高效反光鏡;
8.二向色的防熱透鏡裝置;
9.防汞燈泄漏裝置;
10.配備蠅眼棱鏡裝置;
11.配備近紫外(或深紫外)光源
--220nm輸出強(qiáng)度–大約8-10 mW/cm2
--254nm輸出強(qiáng)度–大約12-14 mW/cm2
--365nm輸出強(qiáng)度–大約18-20 mW/cm2
--400nm輸出強(qiáng)度–大約30-35 mW/cm2
12.主要配置:6“,8"光源系統(tǒng),可支持2“,3",4“,6",8“(圓/方片)及碎片光刻。
13.手動(dòng)系統(tǒng),半自動(dòng)系統(tǒng)。
14.支持電源350-2000 。
15.支持深紫外近紫外波長(可選項(xiàng))。
16.支持背后對(duì)準(zhǔn)及MEMS工藝要求。
17.CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
18.主要性能指標(biāo):光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。 區(qū)域,--<±2% over 4"區(qū)域,--<±3% over 6"區(qū)域。
19.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):0.5 um。
20.接觸式樣曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um。
21.支持接近式曝光,特征尺寸CD:--0.8um 硬接觸,--1um 20um間距時(shí),--2um50um間距時(shí),正面對(duì)準(zhǔn)精度±0.5um,背面對(duì)準(zhǔn)精度±1um--±2um(Depends on user),支持正膠、負(fù)膠及Su8膠等的厚膠光刻,特征尺寸:100um-300um,支持LED優(yōu)異電流控制技術(shù)PSS工藝光刻,支持真空、接近式、接觸式曝光,支持恒定光強(qiáng)或恒定功率模式。
二、主要用途
⒈ 本機(jī)針對(duì)各大專院校、企業(yè)及科研單位,對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī)。
⒉ 由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)先進(jìn),找平力小、使本機(jī)不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
3.工作方式 :本機(jī)為單面對(duì)準(zhǔn)、單面曝光。
三、主要構(gòu)成:主要由高精度對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)、雙目分離視場顯微鏡顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動(dòng)系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺(tái)和附件等組成。
四、主要功能特點(diǎn)
1.適用范圍廣:適用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對(duì)準(zhǔn)曝光。
2.結(jié)構(gòu)先進(jìn):具有半球式找平機(jī)構(gòu)和可實(shí)現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機(jī)構(gòu)。
3.操作簡便:采用翻板方式取片、放片;按鈕、按鍵方式操作,可實(shí)現(xiàn)真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能,操作、調(diào)試、維護(hù)、修理都非常簡便。
4.可靠性高:采用進(jìn)口電磁閥、按鈕、定時(shí)器;采用dute的氣動(dòng)系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機(jī)械零件,使本機(jī)具有非常高的可靠性。
5.特設(shè)“碎片"處理功能:解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對(duì)準(zhǔn)的問題。